Transistor BD135
Q3.50
SKU K81
Este es un transistor de bajo voltaje de polaridad NPN, fabricado con tecnología planar epitaxial y diseñado para su uso en amplificadores de audio y drivers, utilizando circuitos adicionales.
Características generales:
- Substituto: NTE184 BD139 2SD612 2N5191 2N5192 BD237 BD139G
- Polaridad del transistor: NPN
- Voltaje colector base VCBO: 45 V
- Voltaje colector emisor VCEO: 45 V
- Voltaje emisor base VEBO: 5 V
- Corriente de colector DC Ic: 1.5 A
- Corriente colector pico Icm: 3 A
- Corriente base Ib: 0.5 A
- Disipación de energía Pd (Tc ≤ 25°C): 12.5 W
- Temperatura de operación mínima: -55°C
- Temperatura de operación máxima: 125°C
- Encapsulado: TO-126
- Número de pines: 3
- Complementa al BD136, BD138, BD140
- 5A de corriente base
- Resistencia térmica entre unión y carcasa de 10°C/W
- Resistencia térmica entre unión y ambiente de 100°C/W